高低溫真空探針臺
高低溫真空探針臺
高低溫真空探針臺，溫度范圍可選（4K-480K），適用于真空高低溫環(huán)境下樣品測試。
PS：探針臺屬于非標(biāo)產(chǎn)品，均可根據(jù)客戶需求進(jìn)行定制。
4K-480K
極低溫測試:
因為晶圓在低溫大氣環(huán)境測試時，空氣中的水汽會凝結(jié)在晶圓上，會導(dǎo)致漏電過大或者探針無法接觸電極而使測試失敗。避免這些需要把真空腔內(nèi)的水汽在測試前用泵抽走，并且保持整個測試過程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。
高溫?zé)o氧化測試：
當(dāng)晶圓加熱至300℃,400℃,500℃甚至更高溫度時，氧化現(xiàn)象會越來越明顯，并且溫度越高氧化越嚴(yán)重。過度氧化會導(dǎo)致晶圓電性誤差，物理和機(jī)械形變。避免這些需要把真空腔內(nèi)的氧氣在測試前用泵抽走，并且保持整個測試過程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。
晶圓測試過程中溫度在低溫和高溫中變換，因為熱脹冷縮現(xiàn)象，定位好的探針與器件電極間會有相對位移，這時需要針座的重新定位，針座位于腔體外部。我們也可以選擇使用操作桿控制的自動化針座來調(diào)整探針的位置。
整體規(guī)格： 載物Chuck 溫度范圍：4.2K-480K 外置4個定位針臂 探針X-Y-Z三方向移動，行程：25mm，定位精度：10微米 最多可以外置6個定位針臂 載物chuck 最大可到2寸 雙屏蔽chuck高低溫時達(dá)到100FA 的測試精度 針臂定位精度可以升級為0.7微米 極限真空到10-8 torr 可以選擇射頻配件做最高67 GHz的射頻測試 可以選擇防震桌 可以選擇超高真空腔體 客戶訂制 | 溫控規(guī)格:
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可選附件 防震桌 方形chuck 分子泵組 Chuck可外部移動裝置 客戶定制。 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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